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(中央社記者張建中新竹30日電)DRAM廠製程技術加速在今年下半年推進至40奈米世代，恐將引發價格走跌，集邦科技預期，明年DRAM均價將下挫3成，不過，DRAM廠仍可望維持獲利狀態。
集邦科技表示，全球動態隨機存取記憶體(DRAM)與儲存型快閃記憶體(NANDFlash)龍頭廠三星電子決定，將今年記憶體事業群投資金額由5.5兆韓元(約48億美元)，擴大到9兆韓元(約78億美元)。
三星將興建20萬片的12吋晶圓廠，生產DRAM與NANDFlash，估計新廠最快明年第3季投片生產；此外，三星下半年也將擴充現有產能，並將DRAM製程技術轉進35奈米，同時將強化晶圓代工業務。
集邦指出，三星是今年全球DRAM業資本支出金額最大的廠商，所佔比重將達41%；隨著擴大投資，三星DRAM全球市占率將進一步攀高，明年有機會突破4成水準。
面對三星擴大投資，集邦表示，其他DRAM廠也將積極強化競爭力，海力士將加速DRAM製程技術推進至44奈米；美光陣營也加速製程技術推進至42奈米。
爾必達旗下DRAM製造廠瑞晶42奈米製程技術也將於7月正式投片。
集邦表示，隨著DRAM廠製程技術陸續推進，產出將增加，並將帶動價格走跌，預期明年DRAM均價恐較今年下滑3成；不過，價格下跌可望刺激DRAM搭載容量擴增至4GB。
此外，集邦指出，DRAM廠成本也將隨著製程技術推進而下降，明年DRAM廠仍可望維持獲利狀態。990630
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